SI4190DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Ayrı Yarıiletken Ürünler
SI4190DY-T1-GE3.pdf

Biz, SI4190DY-T1-GE3 tedarik SI4190DY-T1-GE3 pirce talep ve time.Zeano profesyonel elektronik bileşenler distribütörü kurşun istek alıntı formu kullanabilirsiniz. Mevcut elektronik bileşenlerin 3+ Milyon satır ürün ile kısa teslim süresi içinde, hemen teslimat için stokta 250 bin parça elektronik parçaların üzerinde parça gönderebilir, parça numarası SI4190DY-T1-GE3 içerebilir. Miktarına bağlı olarak SI4190DY-T1-GE3 için fiyat ve teslim süresi gerekli ve depo location.contact bize ve satış temsilcimiz size fiyat sağlayacaktır. Sizinle çalışmak için sabırsızlanıyoruz.

Request Quote

Özellikler
yorumlar
Ödeme
Nakliye
paketleme

Id @ Vgs (th) (Max):	2.8V @ 250µA
teknoloji:	MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:	8-SO
Dizi:	TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):	8.8 mOhm @ 15A, 10V
Güç Tüketimi (Max):	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
paketleme:	Original-Reel®
Paket / Kutu:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Çalışma sıcaklığı:	-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:	Surface Mount
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:	2000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:	58nC @ 10V
FET Tipi:	N-Channel
FET Özelliği:	-
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):	100V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):	20A (Tc)